구리 인듐 갈륨 셀레나이드(CuInGaSe(1:1:1:2))-분말

제품 설명

특성


구리 인듐 갈륨 (DI) 셀레 나이드 (CIGS)는 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄으로 구성된 I-III-VI2 반도체 재료입니다. 재료는 구리 인듐 셀레 나이드 (종종 축약 된 \"CIS \") 및 구리 갈륨 셀레 나이드의 고체 용액입니다.


화학 공식 : cuin(1-x)조금도x제자2

밀도 : ~ 5.7 g / cm.3

융점 : 1,070 ~ 990 ° C (1,960 ~ 1,810 ° F, 1,340 ~ 1,260 k) (x = 0-1)

밴드 갭 : 1.0-1.7 ev (x = 0-1)

크리스탈 구조 : tetragonal


애플리케이션


그것은 CIGS 태양 전지의 재료로서 가장 잘 알려져 광전지 산업에서 사용되는 박막 기술입니다. 이 역할에서 CIGS는 유연한 기질 재료에 증착 될 수있어 매우 유연하고 가벼운 태양 전지 패널을 생산하는 이점이 있습니다. 효율성 향상은 CIGS를 대안적인 세포 재료 중에서 확립 된 기술로 만들었습니다.




MSDS.

구리(II) 황화물(Cu2S)-스퍼터링 타겟

구리 게르마늄 황화물(Cu2GeS3)-스퍼터링 타겟

구리 (I) 텔루 라이드 (CuTe) - 초본 대상

구리 갈륨 텔루라이드(CuGaTe2)-분말

황화아연(ZnS)-분말

구리(I) 텔루라이드(CuTe)-펠렛