인듐 비소(InAs)-웨이퍼

특성

인듐 아스 나이드, INAS 또는 인듐 모노 혈소화물은 인듐 및 비소로 구성된 반도체입니다. 그것은 융점이 942 ° C 인 회색 입방 결정의 모양을 가지고 있습니다.

화학 수식 : INAS.

몰 질량 : 189.740 g / mol.

밀도 : 5.67 g / cm.³

융점 : 942 ° C (1,728 ° F, 1,215 k)

밴드 갭 : 0.354 EV (300 k)

전자 이동성 : 40000 cm2 / (v * s)

열전도율 : 0.27 W / (cm * k) (300 k)

굴절률 (ND) : 3.51.

크리스탈 구조 : 아연 블렌드

애플리케이션

인듐 아스 실란드는 1-3.8 μm의 파장 범위의 적외선 검출기의 구성에 사용됩니다. 검출기는 일반적으로 광전지 포토 다이오드입니다. 극저온 냉각 된 검출기는 노이즈가 낮을 수 있지만, 실내 온도에서는 고전력 적용에서는 INAS 검출기를 사용할 수 있습니다. 인듐 아스 실란드는 다이오드 레이저 제조에도 사용됩니다.

inas.pdf.