질화갈륨(GaN)-펠렛

제품 설명

특성


질화 갈륨 질화금 (GaN)은 1990 년대 이후 발광 다이오드에서 일반적으로 사용되는 이원 III / V 직접 밴드 갭 반도체입니다. 화합물은 무지치 결정 구조를 갖는 매우 단단한 물질이다. 3.4 eV의 넓은 밴드 갭은 광전자 (8] [8] [9] 고전력 및 고주파수 장치의 응용 분야의 특성을 특별하다.     


화학 공식 : GaN.

몰 질량 : 83.730 g / mol.

외관 : 노란색 가루

밀도 : 6.1 g / cm.3

융점 :> 1600 ° C.

물의 용해도 : 불용성

밴드 갭 : 3.4 EV (300 k, 직접)

전자 이동성 : 1500 cm.2/ (v · s) (300 k)

열전도율 : 1.3 w / (cm · k) (300 k)

굴절률 (ND) : 2.429.

크리스탈 구조 : Wurtzite.



애플리케이션


이온화 방사선에 대한 그것의 감도는 (다른 그룹의 질화물처럼) 위성에 대한 태양 전지 어레이에 적합한 재료로 만듭니다. 군사 및 우주 신청서는 장치가 방사선 환경에서 안정성을 보여주었습니다.


GAN 트랜지스터는 훨씬 더 높은 온도에서 작동하고 GAAS (Gallium Arsenide) 트랜지스터보다 훨씬 높은 전압에서 작동 할 수 있으므로 전자 레인지 주파수에서 이상적인 전력 증폭기를 만듭니다. 또한 GAN은 THZ 장치에 대한 유망한 특성을 제공합니다.


MSDS.

질화코발트(CoN)-분말

구리 질화물 (Cu3N) - 폴더

하프늄 질화물 (HfN) - 초본 표적

망간 질화물(Mn4N)-분말

질화 바나듐 (VN) - 초본 표적