Cuingase (1 : 1 : 1 : 2)
2949313400pd.
99.999 %
- 325 메쉬 (40 마이크 APS)
가용성 상태: | |
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특성
구리 인듐 갈륨 (DI) 셀레 나이드 (CIGS)는 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄으로 구성된 I-III-VI2 반도체 재료입니다. 재료는 구리 인듐 셀레 나이드 (종종 축약 된 \"CIS \") 및 구리 갈륨 셀레 나이드의 고체 용액입니다.
화학 공식 : cuin(1-x)조금도x제자2
밀도 : ~ 5.7 g / cm.3
융점 : 1,070 ~ 990 ° C (1,960 ~ 1,810 ° F, 1,340 ~ 1,260 k) (x = 0-1)
밴드 갭 : 1.0-1.7 ev (x = 0-1)
크리스탈 구조 : tetragonal
애플리케이션
그것은 CIGS 태양 전지의 재료로서 가장 잘 알려져 광전지 산업에서 사용되는 박막 기술입니다. 이 역할에서 CIGS는 유연한 기질 재료에 증착 될 수있어 매우 유연하고 가벼운 태양 전지 패널을 생산하는 이점이 있습니다. 효율성 향상은 CIGS를 대안적인 세포 재료 중에서 확립 된 기술로 만들었습니다.
특성
구리 인듐 갈륨 (DI) 셀레 나이드 (CIGS)는 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄으로 구성된 I-III-VI2 반도체 재료입니다. 재료는 구리 인듐 셀레 나이드 (종종 축약 된 \"CIS \") 및 구리 갈륨 셀레 나이드의 고체 용액입니다.
화학 공식 : cuin(1-x)조금도x제자2
밀도 : ~ 5.7 g / cm.3
융점 : 1,070 ~ 990 ° C (1,960 ~ 1,810 ° F, 1,340 ~ 1,260 k) (x = 0-1)
밴드 갭 : 1.0-1.7 ev (x = 0-1)
크리스탈 구조 : tetragonal
애플리케이션
그것은 CIGS 태양 전지의 재료로서 가장 잘 알려져 광전지 산업에서 사용되는 박막 기술입니다. 이 역할에서 CIGS는 유연한 기질 재료에 증착 될 수있어 매우 유연하고 가벼운 태양 전지 패널을 생산하는 이점이 있습니다. 효율성 향상은 CIGS를 대안적인 세포 재료 중에서 확립 된 기술로 만들었습니다.