산화인듐(In2O3)-스퍼터링 타겟

특성

인듐(III) 산화물(₂O₃)는 인듐의 양쪽성 산화물인 화합물입니다.광전계, 가스센서, 촉매 등에 널리 사용되는 밴드갭 폭이 넓고 저항률이 낮고 촉매활성이 높은 새로운 n형 투명반도체 기능성 물질이다.위의 기능 외에도 산화 인듐 입자 크기의 다나미 수준은 나노 물질의 표면 효과, 양자 크기 효과, 작은 크기 효과 및 거시적 양자 터널링 효과도 있습니다.

화학식:에서₂O₃

몰 질량: 277.64g/mol

성상: 황록색 무취 결정

밀도: 7.179g/cm³

융점: 1,910°C(3,470°F, 2,180K)

물에 대한 용해도: 불용성

밴드 갭: ~3eV(300K)

자화율(χ)：−56.0·10^-6센티미터³/몰

애플리케이션

산화인듐은 일부 유형의 배터리, 가시광선에 대해 투명한 박막 적외선 반사기(핫 미러), 일부 광학 코팅 및 일부 정전기 방지 코팅에 사용됩니다.이산화주석과 결합하여 산화인듐은 투명 전도성 코팅에 사용되는 재료인 산화인듐 주석 산화물(주석 도핑된 산화인듐 또는 ITO라고도 함)을 형성합니다.

반도체에서 인듐 산화물은 집적 회로의 저항 소자로 사용되는 n형 반도체로 사용될 수 있습니다.

조직학에서 산화인듐은 일부 염색 제제의 일부로 사용됩니다.