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1303-11-3
inas.
493300GN.
99.99 % -99.999 %
3 mm - 6 mm.
215-115-3.
클래스 6.1.
UN1557.
PG III.
특성
인듐 아스 나이드, INAS 또는 인듐 모노 혈소화물은 인듐 및 비소로 구성된 반도체입니다. 그것은 융점이 942 ° C 인 회색 입방 결정의 모양을 가지고 있습니다.
화학 수식 : INAS.
몰 질량 : 189.740 g / mol.
밀도 : 5.67 g / cm.3
융점 : 942 ° C (1,728 ° F, 1,215 k)
밴드 갭 : 0.354 EV (300 k)
전자 이동성 : 40000 cm.2/ (v * s)
열전도율 : 0.27 W / (cm * k) (300 k)
굴절률 (ND) : 3.51.
크리스탈 구조 : 아연 블렌드
애플리케이션
인듐 아스 실란드는 1-3.8 μm의 파장 범위의 적외선 검출기의 구성에 사용됩니다. 검출기는 일반적으로 광전지 포토 다이오드입니다. 극저온 냉각 된 검출기는 노이즈가 낮을 수 있지만, 실내 온도에서는 고전력 적용에서는 INAS 검출기를 사용할 수 있습니다. 인듐 아스 실란드는 다이오드 레이저 제조에도 사용됩니다.
특성
인듐 아스 나이드, INAS 또는 인듐 모노 혈소화물은 인듐 및 비소로 구성된 반도체입니다. 그것은 융점이 942 ° C 인 회색 입방 결정의 모양을 가지고 있습니다.
화학 수식 : INAS.
몰 질량 : 189.740 g / mol.
밀도 : 5.67 g / cm.3
융점 : 942 ° C (1,728 ° F, 1,215 k)
밴드 갭 : 0.354 EV (300 k)
전자 이동성 : 40000 cm.2/ (v * s)
열전도율 : 0.27 W / (cm * k) (300 k)
굴절률 (ND) : 3.51.
크리스탈 구조 : 아연 블렌드
애플리케이션
인듐 아스 실란드는 1-3.8 μm의 파장 범위의 적외선 검출기의 구성에 사용됩니다. 검출기는 일반적으로 광전지 포토 다이오드입니다. 극저온 냉각 된 검출기는 노이즈가 낮을 수 있지만, 실내 온도에서는 고전력 적용에서는 INAS 검출기를 사용할 수 있습니다. 인듐 아스 실란드는 다이오드 레이저 제조에도 사용됩니다.
