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특성
인듐 인화물 (INP)은 인듐 및 인으로 구성된 바이너리 반도체입니다. 그것은 GaAs와 III-V 반도체의 대부분과 동일한 얼굴 중심의 입방체 (\"anchblende \") 결정 구조가 있습니다.
화학 공식 : InP.
몰 질량 : 145.792 g / mol
외관 : 블랙 큐빅 크리스탈
밀도 : 4.81 g / cm.3, 단단한
융점 : 1,062 ° C (1,944 ° F, 1,335 k)
용해도 : 산에 약간 용해성 [1]
밴드 갭 : 1.344 EV (300 k; 직접)
전자 이동성 : 5400 cm2 / (v · s) (300 k)
열전도율 : 0.68W / (cm · k) (300 k)
굴절률 (ND) : 3.1 (적외선);
3.55 (632.8 nm)
크리스탈 구조 : 아연 블렌드
애플리케이션
INP는 더 일반적인 반도체 실리콘 및 갈륨 아스천에 대한 우수한 전자 속도로 인해 고전력 및 고주파 전자 제품에 사용됩니다.
604GHz에서 작동 할 수있는 기록을 깨뜨릴 수있는 기록을 깨는 기록을 만들기 위해 인듐 갈륨 아스천과 함께 사용되었습니다.
또한 직접적인 밴드 갭이있어 레이저 다이오드와 같은 광전자 장치 장치에 유용합니다.
INP는 에피 택셜 인듐 갈륨 아스 센으로 기반의 광 전자 장치 용 기판으로도 사용됩니다.
특성
인듐 인화물 (INP)은 인듐 및 인으로 구성된 바이너리 반도체입니다. 그것은 GaAs와 III-V 반도체의 대부분과 동일한 얼굴 중심의 입방체 (\"anchblende \") 결정 구조가 있습니다.
화학 공식 : InP.
몰 질량 : 145.792 g / mol
외관 : 블랙 큐빅 크리스탈
밀도 : 4.81 g / cm.3, 단단한
융점 : 1,062 ° C (1,944 ° F, 1,335 k)
용해도 : 산에 약간 용해성 [1]
밴드 갭 : 1.344 EV (300 k; 직접)
전자 이동성 : 5400 cm2 / (v · s) (300 k)
열전도율 : 0.68W / (cm · k) (300 k)
굴절률 (ND) : 3.1 (적외선);
3.55 (632.8 nm)
크리스탈 구조 : 아연 블렌드
애플리케이션
INP는 더 일반적인 반도체 실리콘 및 갈륨 아스천에 대한 우수한 전자 속도로 인해 고전력 및 고주파 전자 제품에 사용됩니다.
604GHz에서 작동 할 수있는 기록을 깨뜨릴 수있는 기록을 깨는 기록을 만들기 위해 인듐 갈륨 아스천과 함께 사용되었습니다.
또한 직접적인 밴드 갭이있어 레이저 다이오드와 같은 광전자 장치 장치에 유용합니다.
INP는 에피 택셜 인듐 갈륨 아스 센으로 기반의 광 전자 장치 용 기판으로도 사용됩니다.
