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특성
질화 갈륨 질화금 (GaN)은 1990 년대 이후 발광 다이오드에서 일반적으로 사용되는 이원 III / V 직접 밴드 갭 반도체입니다. 화합물은 무지치 결정 구조를 갖는 매우 단단한 물질이다. 3.4 eV의 넓은 밴드 갭은 광전자 (8] [8] [9] 고전력 및 고주파수 장치의 응용 분야의 특성을 특별하다.
화학 공식 : GaN.
몰 질량 : 83.730 g / mol.
외관 : 노란색 가루
밀도 : 6.1 g / cm.3
융점 :> 1600 ° C.
물의 용해도 : 불용성
밴드 갭 : 3.4 EV (300 k, 직접)
전자 이동성 : 1500 cm.2/ (v · s) (300 k)
열전도율 : 1.3 w / (cm · k) (300 k)
굴절률 (ND) : 2.429.
크리스탈 구조 : Wurtzite.
애플리케이션
이온화 방사선에 대한 그것의 감도는 (다른 그룹의 질화물처럼) 위성에 대한 태양 전지 어레이에 적합한 재료로 만듭니다. 군사 및 우주 신청서는 장치가 방사선 환경에서 안정성을 보여주었습니다.
GAN 트랜지스터는 훨씬 더 높은 온도에서 작동하고 GAAS (Gallium Arsenide) 트랜지스터보다 훨씬 높은 전압에서 작동 할 수 있으므로 전자 레인지 주파수에서 이상적인 전력 증폭기를 만듭니다. 또한 GAN은 THZ 장치에 대한 유망한 특성을 제공합니다.
특성
질화 갈륨 질화금 (GaN)은 1990 년대 이후 발광 다이오드에서 일반적으로 사용되는 이원 III / V 직접 밴드 갭 반도체입니다. 화합물은 무지치 결정 구조를 갖는 매우 단단한 물질이다. 3.4 eV의 넓은 밴드 갭은 광전자 (8] [8] [9] 고전력 및 고주파수 장치의 응용 분야의 특성을 특별하다.
화학 공식 : GaN.
몰 질량 : 83.730 g / mol.
외관 : 노란색 가루
밀도 : 6.1 g / cm.3
융점 :> 1600 ° C.
물의 용해도 : 불용성
밴드 갭 : 3.4 EV (300 k, 직접)
전자 이동성 : 1500 cm.2/ (v · s) (300 k)
열전도율 : 1.3 w / (cm · k) (300 k)
굴절률 (ND) : 2.429.
크리스탈 구조 : Wurtzite.
애플리케이션
이온화 방사선에 대한 그것의 감도는 (다른 그룹의 질화물처럼) 위성에 대한 태양 전지 어레이에 적합한 재료로 만듭니다. 군사 및 우주 신청서는 장치가 방사선 환경에서 안정성을 보여주었습니다.
GAN 트랜지스터는 훨씬 더 높은 온도에서 작동하고 GAAS (Gallium Arsenide) 트랜지스터보다 훨씬 높은 전압에서 작동 할 수 있으므로 전자 레인지 주파수에서 이상적인 전력 증폭기를 만듭니다. 또한 GAN은 THZ 장치에 대한 유망한 특성을 제공합니다.
