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12007-23-7.
HFB2.
720500st.
99.5 %
3 인치 Dia x 0.25 인치 th.etc.
234-500-7.
특성
Hafnium Diboride는 하프늄과 붕소로 구성된 세라믹의 종류 인 초 고온 세라믹의 종류에 속합니다. 섭씨 3250 ℃의 용융 온도가 있습니다. 비교적 높은 열 및 전기 전도성을 갖는 특이 한 세라믹이며, 이보다 isostructural 티타늄 이돌라이화물 및 지르코늄 디 붕소와 함께 공유하는 특성. 회색, 금속 보이는 자료입니다. Hafnium Diboride는 육각형 결정 구조, 몰수량 200.11 그램의 몰 질량 및 입방 센티미터 당 10.5 그램의 밀도를 갖는다.
화학 공식 : HFB.2
몰 질량 : 200.11 g / mol
밀도 : 10.5 g / cm.3
융점 : 캘리포니아. 3,250 ° C (5,880 ° F, 3,520 k)
크리스탈 구조 : 육각형, HP3.
애플리케이션
Hafnium Diboride는 또한 원자로 제어 막대의 새로운 재료로 조사됩니다. 그것은 또한 마이크로 칩 확산 장벽으로 조사되고 있습니다. 합성되면 장벽은 두께가 7 nm 미만일 수 있습니다.
특성
Hafnium Diboride는 하프늄과 붕소로 구성된 세라믹의 종류 인 초 고온 세라믹의 종류에 속합니다. 섭씨 3250 ℃의 용융 온도가 있습니다. 비교적 높은 열 및 전기 전도성을 갖는 특이 한 세라믹이며, 이보다 isostructural 티타늄 이돌라이화물 및 지르코늄 디 붕소와 함께 공유하는 특성. 회색, 금속 보이는 자료입니다. Hafnium Diboride는 육각형 결정 구조, 몰수량 200.11 그램의 몰 질량 및 입방 센티미터 당 10.5 그램의 밀도를 갖는다.
화학 공식 : HFB.2
몰 질량 : 200.11 g / mol
밀도 : 10.5 g / cm.3
융점 : 캘리포니아. 3,250 ° C (5,880 ° F, 3,520 k)
크리스탈 구조 : 육각형, HP3.
애플리케이션
Hafnium Diboride는 또한 원자로 제어 막대의 새로운 재료로 조사됩니다. 그것은 또한 마이크로 칩 확산 장벽으로 조사되고 있습니다. 합성되면 장벽은 두께가 7 nm 미만일 수 있습니다.
