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특성
하프늄(IV) 산화물은 화학식이 HfO인 무기 화합물입니다.2.하프니아라고도 하는 이 무색 고체는 가장 흔하고 안정적인 하프늄 화합물 중 하나입니다.밴드갭이 5.3~5.7 eV인 전기 절연체입니다.하프늄 이산화물은 하프늄 금속을 제공하는 일부 공정의 중간체입니다.
화학식: HfO2
몰 질량: 210.49g/mol
성상: 회백색 분말
밀도: 9.68g/cm3, 단단한
녹는점: 2,758°C(4,996°F, 3,031K)
끓는점: 5,400°C(9,750°F, 5,670K)
물에 대한 용해도: 불용성
자화율(χ)：−23.0·10-6센티미터3/몰
애플리케이션
하프니아는 광학 코팅에 사용되며 DRAM 커패시터 및 고급 금속 산화물 반도체 장치에서 고유전율 유전체로 사용됩니다.
최근 몇 년 동안 산화 하프늄(도핑 및 산소 결핍 산화 하프늄)은 저항성 스위칭 메모리와 CMOS 호환 강유전계 전계 효과 트랜지스터(FeFET 메모리) 및 메모리 칩의 가능한 후보로 추가적인 관심을 끌고 있습니다.
용융점이 매우 높기 때문에 하프니아는 최대 2500°C의 온도에서 작동할 수 있는 열전대와 같은 장치의 절연에서 내화 재료로도 사용됩니다.
하프늄 이산화물, 실리카 및 기타 재료의 다층 필름은 건물의 수동 냉각에 사용하기 위해 개발되었습니다.필름은 지구 대기를 통과하는 파장에서 햇빛을 반사하고 열을 방출하며 동일한 조건에서 주변 물질보다 몇 도 더 낮은 온도를 가질 수 있습니다.
특성
하프늄(IV) 산화물은 화학식이 HfO인 무기 화합물입니다.2.하프니아라고도 하는 이 무색 고체는 가장 흔하고 안정적인 하프늄 화합물 중 하나입니다.밴드갭이 5.3~5.7 eV인 전기 절연체입니다.하프늄 이산화물은 하프늄 금속을 제공하는 일부 공정의 중간체입니다.
화학식: HfO2
몰 질량: 210.49g/mol
성상: 회백색 분말
밀도: 9.68g/cm3, 단단한
녹는점: 2,758°C(4,996°F, 3,031K)
끓는점: 5,400°C(9,750°F, 5,670K)
물에 대한 용해도: 불용성
자화율(χ)：−23.0·10-6센티미터3/몰
애플리케이션
하프니아는 광학 코팅에 사용되며 DRAM 커패시터 및 고급 금속 산화물 반도체 장치에서 고유전율 유전체로 사용됩니다.
최근 몇 년 동안 산화 하프늄(도핑 및 산소 결핍 산화 하프늄)은 저항성 스위칭 메모리와 CMOS 호환 강유전계 전계 효과 트랜지스터(FeFET 메모리) 및 메모리 칩의 가능한 후보로 추가적인 관심을 끌고 있습니다.
용융점이 매우 높기 때문에 하프니아는 최대 2500°C의 온도에서 작동할 수 있는 열전대와 같은 장치의 절연에서 내화 재료로도 사용됩니다.
하프늄 이산화물, 실리카 및 기타 재료의 다층 필름은 건물의 수동 냉각에 사용하기 위해 개발되었습니다.필름은 지구 대기를 통과하는 파장에서 햇빛을 반사하고 열을 방출하며 동일한 조건에서 주변 물질보다 몇 도 더 낮은 온도를 가질 수 있습니다.
