갈륨 셀레 나이드의 응용 프로그램

갈륨 셀레 나이드(GAE)는 XIII 포스트 전이 후 칼 코겐화물 군이다. 전이 금속 Dichalcogenides (TMDCS)와 마찬가지로 층상 반도체입니다. 갈륨 셀레 나이드에서 각 개별 층은 중간에 상단 및 하단의 SE 이온의 시트 및 중간에있는 2 장의 GA 이온의 시트가있는 공유 결합 된 스택으로 구성됩니다.

그래 핀과 같은 다른 층형 된 2D 구조와 마찬가지로 인접한 밴 디 그레이 층이 약한 반 데르 발스 힘에 의해 결합된다. 이를 통해 기계적 또는 액체 박리에 의한 구조를 떼어 낼 수 있습니다. 생성 된 초박형 소수 또는 단층 2D 갈륨 셀레 나이트 나노 시트 또는 나노 입자는 통합 광학, 광학 정보 통신 및 생물학을 포함한 영역에서 공지 된 비선형 광학 특성 및 다양한 용도를 갖는다.

갈륨 Gelenide는 모노 및 적은 층 GASE, 나노 시트 및 나노 입자의 제조에 사용될 수 있습니다. 반도체 및 비선형 광학 특성으로 인해 넓은 범위의 대부분 악용 응용 프로그램이 있습니다.

갈륨 셀레 나이드의 응용은 다음과 같습니다.

1. 태양 전지

2. 배터리 기술

3. 전자 장치

4. 포토 트랜지스터

5. 전계 효과 트랜지스터

6. LEDS.

7. 광학 통신

8. 이미지 매핑

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