고순도 금속 스퍼터링 대상 응용 분야

고순도 스퍼터링 대상응용 프로그램에는 주로 반도체, 패널, 광전지 및 광학 장치가 포함됩니다. 집적 회로, 평면 패널 디스플레이, 태양 전지, 정보 저장, 공구 수정, 광학 장치, 고급 장식 제품 및 기타 생산 공정은 스퍼터링 코팅 공정을 수행해야합니다. 스퍼터링 대상 응용 프로그램 필드는 ​​매우 넓습니다. 산업의 대형 타겟 재료, 평면 패널 디스플레이, 태양 전지, 자기 기록 매체, 광학 장치 등에서. 고순도 스퍼터링 타겟은 주로 더 높은 재료 순도 및 안정성 요구 사항 분야에서 사용됩니다. , 집적 회로, 평면 패널 디스플레이, 태양 전지, 자기 기록 매체, 지능형 유리 및 기타 산업과 같은

반도체 칩은 스퍼터링 대상에 대한 기술적 인 요구 사항을 높이고 가격도 매우 비쌉니다. 표적의 순도와 기술 요구 사항은 평면 디스플레이, 태양 전지 및 기타 응용 분야의 순도 및 기술 요구 사항보다 높습니다. 스퍼터링 용 반도체 칩 순도 금속 재료, 내부 미세 구조물은 엄격한 표준을 설정하고, 스퍼터링 타겟 재료가 너무 높은 불순물 함량이 너무 높으면, 형성 필름은 필요한 성능을 사용하여 달성 할 수 없으며 입자의 스퍼터링 공정에서 입자의 스퍼터링 공정에서 웨이퍼 또는 손상으로 인해 단락이 필름의 성능에 심각한 영향을 미칩니다. 일반적으로 스퍼터링 타겟 금속 순도 요구량의 칩 제조는 일반적으로 99.9995 % (5N5), 평판 패널 디스플레이, 태양 전지는 99.999 % (5N), 99.995 % (4N5)에 도달해야합니다.

반도체 표적 : 웨이퍼 전도성 장벽 층 및 포장 금속 배선층의 제조에 사용

웨이퍼 제조 및 칩 패키징에서는 웨이퍼 제조 링크에서 웨이퍼 전도 층, 장벽 및 금속 게이트 및 칩 패키징 링크에 타겟이 주로 사용되는 스퍼터링 타겟에 2 개의 주요 링크를 사용해야합니다. 타겟은 볼록 점, 배선층 및 기타 금속 재료 아래의 금속층을 생성하는데 사용된다. 반 통계에 따르면, 목표 비용은 약 3 %를 차지합니다. 그러나, 스퍼터링 타겟의 품질은 전도성 층 및 배리어 층의 균일 성 및 성능에 직접 영향을 미치므로 칩의 전송 속도 및 안정성에 영향을 미친다. 따라서, 목표 물질은 반도체 생산의 핵심 원료 중 하나이다.

웨이퍼 제조 방법에서, 반도체 용 스퍼터링 타겟 재료는 주로 알루미늄, 티타늄, 구리, 탄탈륨 및 다른 금속을 사용하는 웨이퍼 및 금속 게이트의 도전 층 및 금속 게이트의 도전 층 및 금속 게이트의 제조에 주로 사용된다. 칩 포장용 금속 표적 재료는 주로 구리, 알루미늄, 티타늄 등을 포함하는 웨이퍼 제조와 유사합니다. 그 중에서도, 금속 타겟 물질을 사용하는 도전 층의 웨이퍼 생산은 주로 금속 표적을 사용하는 타겟 및 구리 장벽 층을 주로 함유시키고, 티타늄 표적, 블로킹 층은 2 개의 주요 기능을 갖는다. 절단 및 절연체, 다른 한편으로는 금속 및 실리콘 재료의 결합에 사용되는 스틱으로서 실리콘 웨이퍼 본체 재료로의 전도성 금속층의 확산을 방지합니다. 일반적으로, 12 개 이상의 기술 노드 웨이퍼와 박막 재료의 도체 및 배리어 층 이하의 구리, 탄탈륨 재료 및 박막 재료의 배리어 층을 사용하여 110 nm 웨이퍼 이하로, 좁은 필름 재료의 배리어 층 웨이퍼 프로세스, 구리 표적, 탄탈륨 표적의 미래 및 티타늄 표적 비율의 투여 량으로 금속 그리드를 만들어지게 될 것입니다.

패널 타겟 재질 : 주로 ITO 유리 및 터치 스크린 전극에 사용

평면 패널 디스플레이 산업에서는 표적 스퍼터링 코팅이 주로 ITO 유리 및 터치 스크린 전극을 만드는 데 주로 사용되는 디스플레이 패널 및 터치 스크린 패널의 생산에 주로 사용됩니다. 인듐 주석 산화물 (ITO) 표적이 가장 많이 사용되며,이어서 몰리브덴, 알루미늄, 실리콘 및 기타 금속 표적이 이어집니다 .1) 플랫 디스플레이 패널의 생산 공정에서 유리 기판은 여러 번 스퍼터링 코팅에 의해 ITO 유리로 형성되어야한다 ,이어서 LCD 패널, PDP 패널 및 OLED 패널 용으로 처리 및 조립; 2) 터치 스크린의 제조를 위해, ITO 유리를 처리하고, 전극을 형성하고, 보호 스크린 및 다른 구성 요소로 조립 및 처리해야한다. 실리콘 타겟 스퍼터링에 의해 형성된 이산화 규소 막은 유리 및 ITO 필름의 부착 및 평활도, 부동화 및 보호 방지 및 모럴 타겟의 에칭이 주로 금속 리드 브리징의 역할을한다. 또한 평면 패널 디스플레이 제품의 반사 방지, 멸종 및 기타 기능을 실현하기 위해서는 코팅 공정에 해당 코팅층을 추가 할 수 있습니다.

태양 광 타겟 : B.ac.태양 박막 셀을 형성하는 데 사용되는 kcharge 수준

타겟 재료는 주로 태양 박막 셀의 후면 전극을 생성하는 데 사용되는 결정 실리콘 태양 전지는 스퍼터링 타겟 재료를 사용하지 못한다. 태양 전지는 주로 결정질 실리콘 태양 전지와 박막 태양 전지를 포함합니다. 결정질 실리콘 태양 전지는 높은 전환 효율, 안정적인 성능 및 성숙한 산업 링크를 가지며 태양 전지 시장에서 지배적 인 위치를 차지합니다. 다른 생산 공정에 따르면, 결정질 실리콘 태양 전지는 실리콘 웨이퍼 코팅 태양 전지 및 PVD 공정 고 전환 실리콘 웨이퍼 태양 전지로 나눌 수있다. 그 중에서도 실리콘 웨이퍼 코팅 태양 전지의 생산은 주로 태양 박막 세포 분야에서 주로 사용되는 스퍼터링 타겟을 사용하지 않는다.

타겟 재료의 스퍼터링 코팅에 의해 형성된 태양 박막 세포의 백 전하 레벨은 3 가지 주요 목적을 갖는다 : 먼저, 그것은 각 단일 세포의 음극이다. 둘째, 각각의 배터리 직렬 전도성 채널이고; 셋째, 태양 전지에서 빛의 반사를 증가시킬 수 있습니다. 태양 박막 세포에 사용되는 스퍼터링 타겟은 주로 반도체 칩에 사용되는 표적보다 높은 순도 요건을 갖는 정사각형이며, 일반적으로 99.99 %. 태양 전지를 제조하는 데 일반적으로 사용되는 스퍼터링 타겟은 알루미늄 표적, 구리 표적을 포함한다. , 몰리브덴 표적, 크롬 표적, ITO 표적, 아조 표적 (알루미나 및 아연) 등등. 그 중에서도, 알루미늄 표적 및 구리 표적은 도전 층 필름, 몰리브덴 표적 및 크롬 타겟이 배리어 층 필름, ITO 표적 및 AZO 타겟이 투명 전도성 층 필름에 사용된다.

광학 장치 목표 : 광 파도 전송 특성을 변경하기위한 광학 코팅의 사용

광학 장치는 광을 변속기, 반사, 흡수, 산란, 편광 및 상 변화를 포함하여 광파 전달의 특성을 변화시키기 위해 2 개로 구성된 필름 시스템을 통해 층 또는 다층 유전체 필름 및 금속 필름을 형성하기 위해 광학 디바이스에 의존한다. , 주로 실리콘, 니오브, 실리콘 이산화 규소, 탄탈륨 및 기타 목표에 사용됩니다. 주로 광학 장치는 주로 스마트 폰, 자동차 렌즈, 보안 모니터링 장비, 디지털 카메라, CD 플레이어, 프로젝터 등을 포함합니다. 계측기 렌즈, 반도체 테스트 장비뿐만 아니라 대형 시야 (IMAX), 3D 프린터 및 기타 장비가 필요한 광학 부품 및 렌즈가 필요합니다.