실리콘 웨이퍼 제조 공정

반도체가 건설되기 전에, 규소웨이퍼로 전환해야합니다. 이것은 실리콘 잉곳의 성장으로 시작됩니다. 실리콘 잉곳을 성장시키는 것은 크기, 품질 및 사양을 포함한 많은 요인에 따라 1 주일에서 1 개월까지임을 취할 수 있습니다. 실리콘 웨이퍼 가공과 정확히 어떻게 만들어 지는지 더 깊은 눈에 띄게 봅시다.

잉곳 성장 잉곳을 성장 시키면 첫 번째 단계는 실리콘의 융점보다 1420 ° C로 실리콘을 가열하는 것입니다. 일단 다결정 및 도펀트 조합이 액화되면, 단일 실리콘 결정, 종자가 용융물의 상부에 위치하여 표면을 간신히 닿게된다. 씨앗은 완성 된 잉곳에서 요구되는 동일한 결정 방향을 가지고 있습니다. 잉곳을 완전히 재배하고, 최종 실리콘 웨이퍼의 목표 직경보다 약간 큰 거친 크기의 직경까지 빻아진다. 여러 검사를 통과 한 후, 잉곳은 슬라이싱으로 진행됩니다. 실리콘의 경도로 인해 다이아몬드 가장자리가 실리콘 웨이퍼를 조심스럽게 조각하여 표적 사양보다 약간 두꺼운 것입니다.

제조 공정의 최종 및 가장 중요한 단계는 웨이퍼를 연마하고 있습니다. 이 과정은 깨끗한 방에서 일어납니다. 이 청결 수준을 유지하기 위해 노동자들은 몸을 머리에서 발끝으로 덮고 입자를 수집하거나 운반하지 않는 클린 룸 정장을 착용해야합니다. 그들은 또한 방에 들어가기 전에 축적되었을 수있는 작은 입자를 멀리 떨어 뜨리는 팬 아래에 서 있습니다.