5 종류의 스퍼터링 코팅 기술의 장점과 단점.

불균형 마그네트론스퍼터링

마그네트론 스퍼터링 캐소드의 내부 및 외부 자속의 자속이 동일하지 않으면, 불균형 마그네트론 스퍼터링 음극이다. 일반 마그네트론 스퍼터링 캐소드의 자기장은 표적 근처에서 농축되어 비 평형 마그네트론 스퍼터링 캐소드의 자기장이 목표물에 많이 분배된다. 일반 마그네트론 캐소드의 자기장은 표적에 단단히 결합되고, 기판 근처의 플라즈마가 매우 약하고, 기판은 이온 및 전자에 의해 포격되지 않을 것이다. 비 평형 자기 적으로 제어되는 음극 자기장은 플라즈마를 훨씬 멀리 상업적 표적으로 연장시키고 기판을 흡수 할 수있다.

무선 주파수 (RF) 스퍼터링

절연 필름을 적층하는 원리 : 부정적인 전위가 절연 표적의 뒷면에있는 도체에 적용됩니다. 글로우 방전 플라즈마에서는 포지티브 이온 가이드 바디 플레이트가 날아 오르게 느려질 때, 그 앞에있는 절연물이 발사되어 스퍼터링을 만듭니다. 이 스퍼터링은 10-7 초 동안 만 지속될 수 있고, 절연성 표적 판 상에 축적 된 양의 전하에 의해 형성된 양의 전위는 도체 판의 음의 전위를 방해하여 고 에너지 양성 이온에 의한 절연 표적의 폭격을 멈추게한다. ...에 이 시점에서 전원 공급 장치의 극성이 반전되면 전자는 절연 보드를 공격하고 절연 보드에서 10-9 초 이내에 절연 보드에서 양전하를 중화시켜 잠재력이 제로됩니다. 이 때 전원 공급 장치의 극성을 반전시키고 10-7 초의 스퍼터링 RF 스퍼터링의 장점을 공격 할 수 있습니다. 두 스퍼터링 금속 표적도 도금 절연체 매체 타겟 삼나무 일 수 있습니다.

DC 마그네트론 스퍼터링

마그네트론 스퍼터링 코팅 장비가 DC 스퍼터링 음극 타겟에 첨가되고, 자기장이 적용된 자기장이 전계 이동 트랙에서 루티츠 힘과 전기 연장 및 가스 원자로 기회에 대한 전자 노크, 원자 이온화 유 가스 전도도 첨가하기 위해 목표 물질 권리의 고 에너지 이온 폭격을하고, 고 에너지 전자의 도금 기질이 더 높아진다.

입체 마그네트론 스퍼터링의 장점

도 1에서, 목표 전력 밀도는 12W / cm2에 도달 할 수있다;

도 2에서, 목표 전압은 600V3에 도달 할 수있다. 가스 압력은 0.5pa에 도달 할 수 있습니다.

3, 3 차원 마그네트론 스퍼터링 결함 : 스퍼터링 채널의 활주로 영역에서의 표적은 전체 표적 표면 에칭이 심지어, 목표 적용 속도는 20 % ~ 30 %에 불과합니다.

중간 주파수 통신 링키지 스퍼터링

중간 주파수 통신 마그네트론 스퍼터링 장비, 일반적인 두 개의 크기 및 반대 타겟의 형상이 쌍둥이 타겟이라고 불리는 것으로 나타냅니다. 그들은 서스펜션 마운트입니다. 일반적으로 두 개의 표적이 함께 전원이 공급되고 통신 마그네트론 에코 스퍼터링이있는 경우 두 가지 타겟이 양극 및 음극으로 교대로 작용하고 동일한 절반 기간에서 양극 음극으로 상호 작용합니다. 목표가 음의 절반 사이클 전위에있을 때, 표면은 양의 이온 껍질에 의해 스퍼터링된다. 긍정적 인 반 사이클에서, 플라즈마 전하는 타겟 표면에 도달하기 위해 둔화되고, 표면 표면의 절연면에 축적 된 양의 전하가 중화되어 표적 표면 점화를 제어 할뿐만 아니라 양극 사라진 장면을 제거한다.

중간 주파수 이중 표적 에코 스퍼터링의 장점

(1) 높은 축적 속도. 실리콘 타겟의 경우 중간 주파수 에코 스퍼터링의 적층 속도는 DC 에코 스퍼터링의 10 배입니다.

(2) 스퍼터링 공정은 설정된 동작 포인트에서 변동 할 수있다.

(3) \"Lighting \"장면을 제거하십시오. 제조 된 절연막의 결함 밀도는 DC 반응성 스퍼터링 방법의 분만보다 몇 차량 이하이다.

(4) 높은 기질 온도는 필름의 품질 및 접착력을 향상시키는 데 도움이됩니다.

(5) 전원 공급 장치가 RF 전원 공급 장치보다 복잡하고 목표 일치하는 경우.