Gallium Arsenide는 무엇을 위해 사용됩니까?

반도체 재료 인 갈륨 아스천은 정확히 무엇입니까?

갈륨 아스천(GaAs) Semicond.uctor 물질은 전통적인 실리콘 재료와 비교하여 높은 전자 이동성 (실리콘의 약 5.7 배) 및 넓은 밴드 갭 구조를 갖는다. 동일한 조건 하에서 훨씬 빠른 전류를 수행 할 수 있습니다. Galium Arsenide 반도체 재료를 사용하여 재생하는 마이크로파 장치를 준비 할 수 있습니다. 위성 데이터 전송, 이동 통신, GPS 글로벌 탐색 및 기타 필드의 주요 역할.

갈륨 아스 나이드 반도체 재료의 중요한 특징은 직접 밴드 갭 (Photon 에너지를 흡수 또는 방출하는 전자, 전도 밴드에서 전도 밴드로 직접 전이함으로써 전도 밴드를 흡수하거나 광휘 효율이 높아)과 넓은 밴드 갭과 같은 구조에 대한 광전 특성입니다. 또한, 그 발광 효율은 실리콘 및 게르마늄 반도체 재료의 것보다 높습니다.뿐만 아니라 발광 다이오드, 광 검출기를 생성하는 데뿐만 아니라 광통신과 다른 분야에서 널리 사용되는 반도체 레이저를 준비하는 데 사용할 수 있습니다. 덧붙여 덧붙여 갈륨 아스천 반도체 재료는 또한 위성 통신 분야에서 널리 사용되는 고온 저항, 저전력 및 기타 특성을 가지고 있습니다.

갈륨 아스천 (GaAs) 및 인듐 형광체 (INP)는 마이크로 일렉트로닉스 및 광전자의 기본 재료입니다. Gallium Arsenide는 가장 중요하고 널리 사용되는 화합물 반도체 재료이며, 가장 큰 생산을 갖는 가장 성숙한 화합물 반도체 재료입니다 .Gallium Arsenide는 높은 전자 이동성 (실리콘의 5-6 배), 대형 밴드 갭 (Gallium 용 1.43EV) Arsenide 및 1.1ev Si) 및 직접 밴드 갭이므로 반 절연 재료, 낮은 고유의 캐리어 농도 및 양호한 광전 특성을 쉽게 만들 수 있습니다. 가라운 알소 나이드 장치는 양호한 주파수 응답, 고속 및 높은 작동 온도를 갖추고 있습니다. 통합 광전자의 요구는 현재 중요한 광전자 재료이며 실리콘 재료 후 가장 중요한 마이크로 전자 재료입니다. 고주파, 고속 장치 및 회로를 제조하는 데 적합합니다.

또한, GaAs 소재는 또한 내열성, 방사성 저항 및 자기장 감응 형 특성을 갖습니다. 따라서이 재료로 만들어진 디바이스는 특수 용도 및 다이버 시티를 가지며, 해당 응용 프로그램은 실리콘 및 게르마늄 장치가 도달 할 수없는 분야로 확장되었습니다. 1998 년에도 세계 반도체 산업이 경기 침체에 있었을 때, GaAs 물질 장치의 판매 시장은 여전히 ​​유망했다 [1] .OF 과정, GaAs 소재는 또한 높은 융점 증기압과 같은 몇 가지 단점이 있으며, 조성물을 제어하기가 어렵고, 단결정, 약한 기계적 강도의 느린 성장률, 적용 학위에 크게 영향을 미치는 무결성 및 높은 가격. 가스 재료의 독특한 특성과 군대, 시민 및 산업 분야에서의 광범위한 특성이 다양한 국가에서 큰 관심을 끌었습니다. 많은 돈이 개발 및 연구에 투자되었습니다.