갈륨 아스천 (GAAS) 반도체 재료는 전통적인 실리콘 재료와 비교하여 높은 전자 이동성 (실리콘의 약 5.7 배) 및 넓은 밴드 갭 구조를 갖는다. 자세히보기 »

고순도 금속 스퍼터링 타겟 재료는 주로 웨이퍼 제조 및 고급 패키징 공정에서 사용됩니다. 자세히보기 »

가장 존경 된 예제 인 일반적인 흑색 현상 근처의 형광등 소켓에서 이것은 형광등 전극이 스퍼터링되어 주변 형성에 부착되어 있기 때문입니다. 자세히보기 »

니켈 플러스 7Wt % 바나듐 (NIV7)은 반도체 분야에서 가장 중요한 박막 스퍼터링 합금 중 하나입니다. 그것은 완전한 Ni의 바람직한 화학적, 전기적 및 광학 특성을 강조시키지 않고 강자성이 아닌 이점이있는 이점이 있습니다. 자세히보기 »

칼 코겐화물 유리는 칼코겐 원소의 혼합물로 제조된다 : 황 (S), 셀레늄 (SE) 및 텔루 륨 (TE). 비소, 게르마늄 및 안티몬과 같은 다른 요소의 첨가는 안정한 유리 형성을 촉진하기 위해 칼코겐 체인 사이의 가교 결합을 확립한다. 자세히보기 »

카드뮴 아스 닐은 카드뮴과 비소의 화합물입니다. 그것은 반도체이며 적외선 검출기, 압력 ​​센서, 자기 저항기 및 광 검출기에 사용됩니다. 자세히보기 »

아연 셀레 나이드는 300 ℃에서 유의하게 산화되며, 약 500 ℃에서 소성 변형을 나타내고 약 700 ℃를 해리한다. 안전을 위해 아연 셀레 나이드 창문은 정상적인 분위기에서 250 ° C 이상 사용해야합니다. 자세히보기 »

마그네트론 스퍼터링은 박막 증착의 매우 효과적인 방법으로서, 특히 마이크로 일렉트로닉스, 광학 박막 및 재료 표면 처리의 분야에서 박막 증착 및 표면 코팅제의 분야에서 특히 많은 분야에서 널리 적용되고 성공적으로 적용되었다. 자세히보기 »

최근 몇 년 동안, 중합체 기판의 기능성 필름은 특히 광학 기능을 갖는 필름에 대해 다양한 분야에서 점점 더 널리 사용되었다. 폴리머 필름 (예 : PET, PC, PMMA, PVC, TAC 등)은 광학 및 물리적 및 기계적 성질을 갖는다. 자세히보기 »

갈륨 Arsenide (GaAs)는 요소 갈륨과 비소로 지어진 화합물입니다. 갈륨 및 비소가 III 그룹에있는 III 그룹 및 Vers의 V 그룹에 각각 III-V 화합물이라고도합니다. 자세히보기 »

몰리브덴 Diselenide (Mose2)는 몰리브덴 및 셀레늄의 무기 화합물이다. 그 구조는 MOS2의 것과 유사합니다. 이 카테고리의 화합물은 전이 금속 디칼 코겐화물, 축약 된 TMDC로 알려져 있습니다. 자세히보기 »

구리 인듐 갈륨 selenidecopper 인듐 갈륨 (디) 셀레 나이드 (CIGS)는 구리, 인듐, 갈륨 및 셀레늄으로 구성된 I-III-VI2 반도체 재료입니다. 재료는 구리 인듐 셀레 나이드 (종종 축약 된 \"CIS \") 및 구리 갈륨 셀레 나이드의 고체 용액입니다. 자세히보기 »

ITO 스퍼터링 타겟과 ITO 필름 및 ITO 유리와 같은 유도체는 모든 삶의 모든 산책에서 널리 사용됩니다. 이토 표적은 일반적으로 액정 디스플레이 (LCDS), 평면 패널 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 및 터치 용 투명한 전도성 코팅을 만드는 데 일반적으로 사용됩니다. 패널. 자세히보기 »

스퍼터링은 표면 분자가 튀어서 필름을 형성하기 위해 표면 분자가 튀어 나우도록 스퍼터링 이온의 초기 운동 에너지가 약 100 eV이다. 공통 플라즈마 가스는 아르곤이다. 자세히보기 »

스퍼터링은 그 표면이 충분히 높은 에너지 입자에 의해 갇혀있을 때 원자가 재료의 표면으로부터 배출되는 물리적 증기 증착 (PVD)기구이다. 자세히보기 »